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ASE0510SH在SOT-89封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为140mΩ，是一款N沟道中低压MOS管。ASE0510SH的最大脉冲正向电流ISM为15A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE0510SH功耗（PD）为2W。ASE0510SH的电性参数是：正向电流(Io)为5A，漏极-源极击穿电压为100V，二极管正向电压(VSD)为1.2V，其中有3条引线。

ASE0510SH参数描述

型号：ASE0510SH

封装：SOT-89

特性：N沟道中低压MOS管

电性参数：5A 100V

正向电流(Io)：5A

静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）：140mΩ

功耗（PD）：2W

二极管正向电压(VSD)：1.2V

最大脉冲正向电流ISM：15A

零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

ASE0510SH是SOT-89封装系列。它的本体长度为2.5mm，加引脚长度为4.1mm，宽度为4.5mm，高度为1.49mm，脚间距为1.5mm。

以上就是关于ASE0510SH-ASEMI的MOS管ASE0510SH的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。