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文章目录
前言
存储器分类
RAM
ROM
EEPROM
Flash
总结
前言
在现代计算机系统中，存储器扮演着至关重要的角色，不仅影响着数据的存取速度和稳定性，还直接关系到计算机系统的性能和应用场景的选择。存储器根据数据持久性可以分为易失性和非易失性两大类，每种类型都具备各自独特的特性和优势，为计算机科技的发展提供了多样化的解决方案。
存储器分类
存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。
“易失/非易失”是指存储器断电后， 它存储的数据内容是否会丢失的特性。
在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘。
RAM
Random access memory
随机存取存储器，缩写：RAM，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。
ROM
read only memory
只读存储器以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。现在的ROM包括闪存就是U盘，包括固态硬盘等，都是可写入的。ROM已经不是只读的了。
EEPROM
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是电可擦可编程只读存储器的缩写。
- 可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit位中写入0或1
- 掉电后数据不丢失,可以保存100年,擦写100万次
- 高可靠性,但芯片构成电路复杂、成本高,因此容量都很小
Flash
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（这是EEPROM的优点）的性能，还不会断电丢失数据（这是EEPROM的优点），同时可以快速读取数据（这是RAM的优点）。
FLASH分为NOR FLASH 和 NAND FLASH 两种
- 相较eeprom,擦除不再以字节为单位,而是以块为单位,简化了电路,降低了成本
- NOR FLASH,芯片内部数据线和地址线分开,可以实现RAM一样的随机寻址功能,读取任意一个字节,擦除仍需按块擦除
- NAND FLASH,同样按块擦除,但数据线和地址线复用,不能随机寻址。按页读取
- NAND FLASH引脚复用,读取速度比NOR FLASH慢,但擦除和写入速度比NOR FLASH快
- NAND FLASH内部电路更简单,因此数据密度大,体积小,成本低
- NOR FLASH可以按照字节寻址,所以程序可以在NOR FlASH中运行
总结
存储器的分类基于其在断电后数据是否丢失来划分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器如RAM，虽然读写速度快，但断电即丢失，适合作为临时数据存储。而非易失性存储器如硬盘、EEPROM和Flash，则可以永久保存数据，适用于需要长期存储和持久性的应用场景。随着技术的进步，存储器不断演进，从传统的只读存储器到如今的可编程闪存，其性能和功能不断优化，以满足现代计算需求的多样化和复杂化。存储器技术的发展将继续推动计算机系统整体性能的提升，为各行业和应用领域带来更广阔的发展空间和创新可能性。