昨天正常的网站突然显示建设中,西安论坛,金华企业制作网站,aiyuan wordpressSTM32 的某些系列 MCU 自带 EEPROM。笔者使用的 STM32L151RET6 自带 16 KB 的 EEPROM#xff0c;可以用来存储自定义的数据。在芯片选型时#xff0c;自带 EEPROM 也可以作为一个考量点#xff0c;省去了在外接 EEPROM 的烦恼。
下面简单介绍下 STM32 内部 EEPROM 的读写流…STM32 的某些系列 MCU 自带 EEPROM。笔者使用的 STM32L151RET6 自带 16 KB 的 EEPROM可以用来存储自定义的数据。在芯片选型时自带 EEPROM 也可以作为一个考量点省去了在外接 EEPROM 的烦恼。
下面简单介绍下 STM32 内部 EEPROM 的读写流程。
Memory Mapping
以笔者使用的这款 STM32L151RET6 MCU 为例自带 16 KB 的 EEPROM。Map 到了 2 个 Bank 中 Data EEPROM Bank1: 0x08080000 ~ 0x08081FFF (8KB)Data EEPROM Bank2: 0x08082000 ~ 0x08083FFF (8KB)
Operations
内部 EEPROM 的操作无非就是 读取、写入、擦除 等操作。直接调用库函数或者 HAL 库中对应的 API 即可。这里只是对内部 EEPROM 的操作做一个简要的分析。
本文档主要以库函数中的 EEPROM 接口 API 进行分析。
Unlocking/locking memory
STM32 复位后Data EEPROM 和 Program/erase 控制寄存器 (FLASH_PECR) 默认是 处于 lock 状态需要 unlock 之后才能执行写入和擦除操作。
如何 unlock 可以参考芯片对应的 datasheet简单的说就是往 Program/erase 密钥寄存器 (FLASH_PEKEYR) 写指定的密钥集即可。
Write PEKEY1 0x89ABCDEF to the Program/erase key register (FLASH_PEKEYR)Write PEKEY2 0x02030405 to the Program/erase key register (FLASH_PEKEYR)
/*** brief Unlocks the data memory and FLASH_PECR register access.* param None* retval None*/
void DATA_EEPROM_Unlock(void)
{if((FLASH-PECR FLASH_PECR_PELOCK) ! RESET){ /* Unlocking the Data memory and FLASH_PECR register access*/FLASH-PEKEYR FLASH_PEKEY1;FLASH-PEKEYR FLASH_PEKEY2;}
}#define FLASH_PEKEY1 ((uint32_t)0x89ABCDEF) /*! Flash program erase key1 */
#define FLASH_PEKEY2 ((uint32_t)0x02030405) /*! Flash program erase key: used with FLASH_PEKEY2to unlock the write access to the FLASH_PECR register anddata EEPROM */如何 lock 可以参考芯片对应的 datasheet相较于 unlocklock 仅需要置位 Program/erase 控制寄存器 (FLASH_PECR) 中的 FLASH_PECR 位。
/*** brief Locks the Data memory and FLASH_PECR register access.* param None* retval None*/
void DATA_EEPROM_Lock(void)
{/* Set the PELOCK Bit to lock the data memory and FLASH_PECR register access */FLASH-PECR | FLASH_PECR_PELOCK;
}Erasing memory
对于 EEPROM支持以下 2 种擦除方式
Word 和 double word 擦除Mass 擦除
对于 Word 和 double word 擦除这种方式仅针对 EEPROM但是对于 Mass 擦除这种方式针对 Program memory、EEPROM 和 Option bytes。所以尽量在使用 EEPROM 的时候采用 Word 和 double word 擦除方式。
EEPROM 擦除方式也很简单只需要将值 0x00000000 写入到对应的有效的擦除地址中即可。 /*** brief Erase a word in data memory.* param Address: specifies the address to be erased.* note For STM32L1XX_MD, A data memory word is erased in the data memory only * if the address to load is the start address of a word (multiple of a word).* note To correctly run this function, the DATA_EEPROM_Unlock() function* must be called before.* Call the DATA_EEPROM_Lock() to disable the data EEPROM access* and Flash program erase control register access(recommended to protect * the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).* retval FLASH Status: The returned value can be: * FLASH_ERROR_PROGRAM, FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT.*/
FLASH_Status DATA_EEPROM_EraseWord(uint32_t Address)
{FLASH_Status status FLASH_COMPLETE;/* Check the parameters */assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));/* Wait for last operation to be completed */status FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);if(status FLASH_COMPLETE){/* Write 00000000h to valid address in the data memory */*(__IO uint32_t *) Address 0x00000000;}/* Return the erase status */return status;
}Programming memory
写入 EEPROM 的步骤也很简单一般的流程如下
unlockerasewritelock
/*** brief Programs a word at a specified address in data memory without erase.* note To correctly run this function, the DATA_EEPROM_Unlock() function* must be called before.* Call the DATA_EEPROM_Lock() to disable the data EEPROM access* and Flash program erase control register access(recommended to protect * the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).* note The function DATA_EEPROM_FixedTimeProgramCmd() can be called before * this function to configure the Fixed Time Programming.* param Address: specifies the address to be written.* param Data: specifies the data to be written.* retval FLASH Status: The returned value can be:* FLASH_ERROR_PROGRAM, FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT. */
FLASH_Status DATA_EEPROM_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
{FLASH_Status status FLASH_COMPLETE;/* Check the parameters */assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));/* Wait for last operation to be completed */status FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);if(status FLASH_COMPLETE){*(__IO uint32_t *)Address Data;/* Wait for last operation to be completed */status FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);}/* Return the Write Status */return status;
}Reading Momory
读取 EEPROM 中的数据就没那么多步骤了直接读取对应的 Map 的 Bank 即可。
Note
对于 EEPROM 的操作以下几点需要注意
尽量以 4 字节为一个单位进行操作在执行写入或者擦除操作的时候尽量将全局中断关闭以免中断触发引起其它的问题不要对相同的一个 Bank 同时做多种操作尽量保证一个 Bank 只有一种操作在执行
列出一段 EEPROM 的参考代码
void EEPROM_Test(void)
{__set_PRIMASK(1);DATA_EEPROM_Unlock();/* EEPROM Operations */DATA_EEPROM_Lock();__set_PRIMASK(0);
}
