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网站 宣传册,你在四川省建设安全与质量监督网站,上海高端网站建设公司,外贸商城wordpress在设计放大器的第一步就是确定好晶体管参数和直流工作点的选取。通过阅读文献#xff0c;我了解到L波段低噪声放大器的mos器件最优宽度计算公式为 W o p t . p 3 2 1 ω L C o x R s Q s p W_{opt.p}\frac{3}{2}\frac{1}{\omega LC_{ox}R_{s}Q_{sp}} Wopt.p​23​ωLCox​Rs…在设计放大器的第一步就是确定好晶体管参数和直流工作点的选取。通过阅读文献我了解到L波段低噪声放大器的mos器件最优宽度计算公式为 W o p t . p 3 2 1 ω L C o x R s Q s p W_{opt.p}\frac{3}{2}\frac{1}{\omega LC_{ox}R_{s}Q_{sp}} Wopt.p​23​ωLCox​Rs​Qsp​1​根据设计指标我们得知L波段的中心频率为1.3GHz取 ω 0 1.3 G H z , R s 50 Ω , γ 2 , δ 4 , α 1 , V d d 1.2 V , L 0.13 u m , E s a t 4 × 1 0 6 V / m \omega_{0}1.3\mathrm{GHz},R_{s}50\Omega,\gamma2,\delta4,\quad\alpha1,\quad V_{dd}1.2\mathrm{V},\quad L0.13\mathrm{um},\quad Esat4\times10^{6}\mathrm{V/m} ω0​1.3GHz,Rs​50Ω,γ2,δ4,α1,Vdd​1.2V,L0.13um,Esat4×106V/m进而我们可以得到最优品质因子Qsp为4那么我们还剩下单位面积栅氧化层电容Cox是未知量下面我介绍两种求解得到Cox的方法 方法一寻找 以tsmcN65工艺库为例找到工艺库对应的参数文件其路径为 打开后先搜索对应的晶体管这里我使用到的晶体管是nmos_rf可以看到在这个工艺库模型文件中其定义说明了晶体管的nrlrwr的范围并说明了其额定工作电压为1v。 然后搜索相对真空介电常数epsrox其值为3.9这是表示SiO₂ 的介电常数 然后搜索等效栅氧化层厚度toxe其值为2E-9 载流子迁移率u0其值为0.02232 然后根据单位面积栅氧化层电容公式 C o x ϵ o x t o x C_{ox}\frac{\epsilon_{ox}}{t_{ox}} Cox​tox​ϵox​​其中 ϵ o x \epsilon_{ox} ϵox​是 SiO₂ 的介电常数通常取值 ϵ o x 3.9 × ϵ 0 3.9 × 8.854 × 1 0 − 12 F / m ≈ 3.45 × 1 0 − 11 F / m \epsilon_{ox}3.9\times\epsilon_03.9\times8.854\times10^{-12}\mathrm{F/m}\approx3.45\times10^{-11}\mathrm{F/m} ϵox​3.9×ϵ0​3.9×8.854×10−12F/m≈3.45×10−11F/mtox是氧化层厚度取决于 CMOS 工艺节点。例如 ∙ t o x ≈ 2 n m 2 × 1 0 − 9 m ( 65 n m 工艺 ) \bullet\quad t_{ox}\approx2\mathrm{nm}2\times10^{-9}\mathrm{m}(65\mathrm{nm}\text{工艺}) ∙tox​≈2nm2×10−9m(65nm工艺) ∙ t o x ≈ 1.5 n m 1.5 × 1 0 − 9 m ( 45 n m 工艺 ) \bullet\quad t_{ox}\approx1.5\mathrm{nm}1.5\times10^{-9}\mathrm{m}(45\mathrm{nm}\text{工艺}) ∙tox​≈1.5nm1.5×10−9m(45nm工艺) ∙ t o x ≈ 1.2 n m 1.2 × 1 0 − 9 m ( 32 n m 工艺 ) \bullet\quad t_{ox}\approx1.2\mathrm{nm}1.2\times10^{-9}\mathrm{m}(32\mathrm{nm}\text{工艺}) ∙tox​≈1.2nm1.2×10−9m(32nm工艺)最终可得 C o x 3.45 × 1 0 − 11 2.5 × 1 0 − 9 1.38 × 1 0 − 2 F / m 2 C_{ox}\frac{3.45\times10^{-11}}{2.5\times10^{-9}}1.38\times10^{-2}\mathrm{F/m}^{2} Cox​2.5×10−93.45×10−11​1.38×10−2F/m2 方法二ADE打印 首先搭建好晶体管的仿真电路图 然后进行dc直流仿真 运行仿真后点击Tools-Results Browser 在左侧栏的model文件夹下找到对应的晶体管然后就可以找到对应的模型参数了
http://www.hkea.cn/news/14573609/

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