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1.存储元
1.1栅极电容
1.2双稳态触发器
2.存储单元 3.存储体
4.存储器
5.容量计算
6.寻址 1.存储元
1.1栅极电容
给MOS管一个阈值电压#xff08;5v#xff09;就能够导电#xff0c;若是不给那么就是一个绝缘体不会导电。 读出二进制原理#xff1a; 通常…目录
1.存储元
1.1栅极电容
1.2双稳态触发器
2.存储单元 3.存储体
4.存储器
5.容量计算
6.寻址 1.存储元
1.1栅极电容
给MOS管一个阈值电压5v就能够导电若是不给那么就是一个绝缘体不会导电。 读出二进制原理 通常在电容中保存着数据0或1那么如何去读取呢可以给MOS管加电流若是达到阈值5V此时右端就会流出1否则就会流出0。
写入二进制原理 可以在MOS管的右端加一个5v的高电平同时也给MOS管加一个5v的电平此时MOS管就可以接通电容中就会存储1此时MOS管端口电容里的电荷就跑不出去了。 1.2双稳态触发器
其中双稳态触发器有6个在这种存储器中可以呈现出两种稳定的状态
第一种稳态A是高电平B是低电平此时对应着二进制1。 第二种稳态A是低电平B是高电平此时对应着二进制0。 读出二进制原理
对于左边电容存储元读出数据的数据线只有一根右边双稳态触发器则需要两根来读取数据我们可以根据BL或者BLX读出的是0或1就能够确定读出的是什么信号了。
写入二进制原理
写入0时给BL加低电平BLX加高电平。 写入1左高右低。
2.存储单元 如下由多个存储元组成的一个存储单元在存储单元上每个MOS管接线若是想要读取一组单元的存储元值直接全部上电压就能够读取到一个存储单元的所有二进制位(每个存储元中的电容)。 3.存储体 此时由多个存储单元组成就是一个存储体 4.存储器
存储体接上MAR,MDR控制电路片选线读写控制线就构成了存储器。
片选线用于选取多个存储体中的一个。 每一根线都会对应一根金属引脚 所以 一个存储器的引脚数 地址线 数据线 读控制线 写控制线 片选线。
5.容量计算
n位地址 → 2^n个存储单元总容量 存储单元个数 x 存储字长 像本篇文章中的示例 三根地址线即有2^3个存储单元其存储容量为
2^3x8bit 2^3x1Byte 8B
可以表述为一个8x8位的存储芯片第一个8表示存储单元数第二个表示存储字长
常见的描述: 8Kx8位容量为2^13x8bit 8Kx1位容量为即2^13x1bit 64Kx16位容量为即2^16x16bit
6.寻址
假设存储器总容量为1KB 地址线:10根 现代计算机基本上以字节编址 即一个存储单元的字长为一个字节 1KB 2^10B 故地址线为10根。
按字节寻址 1K个单元每个单元1B
按字寻址 256个单元每个单元4B
按半字寻址 512个单元每个单元2B
按双字寻址 128个单元每个单元8B
