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电流模架构Bandgap设计与仿真
bandgap的理解#xff08;内部带隙电压基准#xff09;
虽然看不懂这些公式#xff0c;但是比较重要的一句应该是这个#xff1a;因为传统带隙基准的输出值为1.2V
1. 使用
参考示例代码。
40002000是falsh控制器寄…0. 参考
电流模架构Bandgap设计与仿真
bandgap的理解内部带隙电压基准
虽然看不懂这些公式但是比较重要的一句应该是这个因为传统带隙基准的输出值为1.2V
1. 使用
参考示例代码。
40002000是falsh控制器寄存器40002058应该也是flash相关。
flash控制寄存器到0x40002040就结束了参考下表的地址规律在0x40002044应该就是eflash控制寄存器结束地址。跟代码里面的40002058没有啥关系。
可以看到这个也是存在falsh中手册中没有说明这个地址的作用应该也是专门用来存储基校准电压的地方。
看到7801的BG输出电压是1.2V并且出厂自带校准。 温度曲线斜率1.692单位是mV/℃
25℃时候电压是0.72V 可以看到低5位用来存储BG校准值
高8位用来存储25℃时候的温度值 TsensorCali *((uint32_t *)0x40002058);VbandgapRT (uint8_t)(TsensorCali 0x1F); // 0 1111 低5位 VtsensorRT (uint8_t)((TsensorCali 8) 0xFF); // 1111 1111 高8位
最高位第5位不为0 因此可以判断第5位是符号位
最高位第8位不为0 因此可以判断第8位是符号位
经过换算之后1200的ADC值对应的就是1.2V电压值。
温度值720对应0.72V【720mV】与后面的0.5系数就不太懂了应该是特殊公式。 /* BG calibration */if (VbandgapRT 4) //最高位第5位不为0 因此可以判断第5位是符号位{bgVol 1200 - (VbandgapRT 0xF); }else{bgVol 1200 (VbandgapRT 0xF);}/* Vtsensor calibration */if (VtsensorRT 7) //最高位第8位不为0 因此可以判断第8位是符号位{vt25Vol 720 - (VtsensorRT 0x7F) * 0.5;}else{vt25Vol 720 (VtsensorRT 0x7F) * 0.5;}
进行ADC采样
测出来的数据 使用BG的校准值和测出来的BG值对温度ADC值进行校准 ADC值即mV单位的电压值进行温度曲线斜率换算得到目前的温度值。
