东莞优化网站建设,自己做报名网站,电子商务平台中搜索词拆解包括,十堰电商网站建设1.理解存储器的分类方法#xff1b;理解存储器的层次结构#xff1b;熟悉存储器的几个技术指标#xff08;主要是存储容量、存取时间、存取周期、存储器带宽等#xff09;#xff1b; 存储器分类方法#xff1a; 按与CPU的连接和功能分类#xff1a; 主存储…1.理解存储器的分类方法理解存储器的层次结构熟悉存储器的几个技术指标主要是存储容量、存取时间、存取周期、存储器带宽等 存储器分类方法 按与CPU的连接和功能分类 主存储器CPU直接访问的存储器 辅助存储器解决容量不足而设置的存储器 高速缓冲存储器解决CPU与主存间速度不匹配的告诉小容量存储器。 按存取方式分类 随机存取存储器RAM主存一般有RAM组成能随机访问任何存储单元 只读存储器ROM存放不变的程序和数据 顺序存储器SAM所存信息的排列、寻址和读写操作均是顺序进行的 直接存取存储器DAM介于RAM和SAM之间。存取信息逻辑动作寻道使磁头指向被选磁道在被选磁道上顺序存取 按内容寻址存储器CAM也称相联存储器按信息内容寻址按地址访问用于快速比较和查找。 按存储介质分类 磁芯存储器早期计算机通用 半导体存储器根据工艺分为双极型和MOS型 磁表面存储器磁盘磁带 光存储器利用光学原理。 按信息的可保存性分类 易失性存储器 非易失性存储器
存储器的层次结构
存储器的技术指标 存储容量能存储的二进制信息的位数采用的是单位是位要和计算机存储器的容量区分开这里是芯片的存储容量 速度 访问时间/取数时间启动一次存储器存取操作到完成该操作所经历的时间。 存取周期/存储周期/读写周期对存储器进行连续两次存取操作所需要的最小时间间隔一般存取周期大于或等于取数时间。 存储器总线带宽/数据传输率 存储器总线宽度除以存取周期就是存储器带宽或频宽存储器单位时间内所存取的二进 制信息位数。 价格半导体存储器的价格常用每位价格来衡量。存储器容量为S位总价格为C位每位价格表示为cC/S 功耗 可靠性。
2.理解存储芯片的基本结构熟悉SRAM、DRAM、ROM、Flash存储器的基本单元电路的原理、以及读写周期的时序 静态RAMSRAM每个存储单元至少需要6个MOS管来构造一个触发器 T1、T2两个MOS管构成的触发器用于存储一位二进制信息位 MOS管T3、T4是触发器的两个负载管相当于电阻 MOS管T5、T6称为门控管通过连接在这两个MOS管栅极上的字线W可以控制触发器电路与位线b和b′的联系。 当加载在字线W上的电平为低电平时T5、T6栅极为低电平T5、T6为截止状态。触发器电路与位线隔离存储单元未被选中触发器的状态不发生改变原来存储信息无变化。 写入信息时字线W上加载一个高电平表示选中这个存储单元T5、T6导通位线上电平状态由写入信息控制 位线b加载高电平、位线b′加载低电平T1截止、T2导通触发器A端高电平、B端低电平表示存储单元存储信息是1 位线b加载低电平、位线b′加载高电平T1导通、T2截止触发器A端低电平、B端高电平表示存储单元存储信息是0 写入结束后字线W恢复到低电平T5、T6截止。 当读出信息时字线W上加载一个高电平表示选中这个存储单元T5、T6导通 原存储信息为0T1导通、T2截止位线b呈现低电平、位线b′呈现高电平表示输出信息0 元存储信息为1T1截止、T2导通位线b呈现高电平、位线b′呈现低电平表示输出信息1。
动态RAMDRAM使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。需要频繁的刷新操作 电容C存储二进制信息有电荷表示存储信息为1无电荷表示存储信息为0 写入信息时字线W上加载高电平表示选中这个存储单元MOS管T导通 若写入1位线b加载高电平电容C充电使其具有电荷 若写入0位线b加载低电平电容C通过位线b和管T放电放掉电荷。 读出信息时字线W上加载高电平表示选中这个存储单元MOS管T导通 若原信息为1C中有电荷通过管T向位线b上泄放使位线b有微弱电流流动有输出信号经过读出再生放大器放大输出信息1 若原信息为0C中无电荷位线b不会有微弱电流无输出信号读出再生放大器输出信息0。
非易失性RAM
ROM 掩膜ROM 可编程ROMPROM 紫外线擦除PROMEPROM可被编程、擦除几千次 电擦除PROMEEPROM 闪速存储器/闪存Flash
Flash 闪速存储器的基本原理 负电子在控制栅的作用下注入浮动栅中NAND单晶体管的存储状态由1变成0 负电子从浮动栅移走之后状态就由0变成1 绝缘层的作用是困住电子保存数据。 闪速存储器的特点 固有的非易失性 廉价和高密度 可直接执行 固态性能 闪速存储器的分类 NOR型闪存 NAND型闪存
