鄱阳网站建设,国产安卓开发工具,商丘网络第一媒体,母婴类网站 网站建设方案书 备案压敏电阻是一种金属氧化物陶瓷半导体电阻器。它以氧化锌(ZnO)为基料#xff0c;加入多种(一般5#xff5e;10种)其它添加剂#xff0c;经压制成坯体#xff0c;高温烧结#xff0c;成为具有晶界特性的多晶半导体陶瓷组件。氧化锌压敏电阻器的微观结构如下图1所示。
氧化锌…压敏电阻是一种金属氧化物陶瓷半导体电阻器。它以氧化锌(ZnO)为基料加入多种(一般510种)其它添加剂经压制成坯体高温烧结成为具有晶界特性的多晶半导体陶瓷组件。氧化锌压敏电阻器的微观结构如下图1所示。
氧化锌陶瓷是由氧化锌晶粒及晶界物质组成的其中氧化锌晶粒中掺有施主杂质而呈N型半导体晶界物质中含有大量金属氧化物而形成大量界面态这样每一微观单元是一个背靠背肖特基势垒整个陶瓷就是由许多背靠背的肖特基垫垒串并联的组合体。 压敏电阻的等效电路 压敏电阻的V-I特性 当压敏电阻器遭受瞬时过电压或是浪涌时, 压敏电阻器会从稳定状态(近似开路) 转向限压状态(高导电状态)。
压敏电阻典型V-I特性曲线 1)漏电流区又称为预击穿区在此区域内施加于压敏电阻器两端的电压小于其压敏电压其导电属于热激发电子电导机理。因此压敏电阻器相当于一个10MΩ以上的绝缘电阻(Rb远大于Rg)这时通过压敏电阻器的阻性电流仅为微安级可看作为开路该区域是电路正常运行时压敏电阻器所处的状态
2)工作区又称为 击穿区压敏电阻器两端施加一大于压敏电压的过电压时其导电属于隧道击穿电子电导机理(Rb与Rg相当)其伏安特性呈优异的非线性电导特性即
IC*V^α
其中I为通过压敏电阻器的电流C为与配方和工艺有关的常数V为压敏电阻器两端的电压α为非线性系数一般大于30 由上式可见在击穿区压敏电阻器端电压的微小变化就可引起电流的急剧变化压敏电阻器正是用这一特性来抑制过电压幅值和吸收或对地释放过电压引起的浪涌能量。
3)上升区当过电压很大使得通过压敏电阻器的电流大于约100A/cm2时压敏电阻器的伏安特性主要由晶粒电阻的伏安特性来决定。此时压敏电阻器的伏安特性呈线性电导特性即
IV/Rg
上升区电流与电压几乎呈线性关系压敏电阻器在该区域已经劣化失去了其抑制过电压、吸收或释放浪涌的能量等特性。
根据压敏电阻器的导电机理其对过电压的响应速度很快如带引线式和专用电极产品一般响应时间小于25纳秒。因此只要选择和使用得当压敏电阻器对线路中出现的瞬态过电压有优良的抑制作用从而达到保护电路中其它元件免遭过电压破坏的目的。 综上所述相信通过本文的描述各位对压敏电阻有哪些原理都有一定了解了吧有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这下次给各位讲解些别的内容咱们下回见啦也可以关注我司wx公众平台深圳比创达EMC
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