物流网站建设可行性分析,陕西一建2022停考,动漫网站建设前期策划,wordpress 根目录是第八章指令剩余部分及第九章相关时序翻译内容
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8.2.16 四线模式页写 (32h)
8.2.17 扇区擦除 (20h)
8.2.18 32KB 块擦除 (52h)
8.2.19 64KB 块擦除 (D8h)
8.2.20 片擦除 (C7h / 60h)
8.2.21 擦除/写挂起(75h)
8.2.22 擦除/写恢复 (7Ah)
8.2.23 待机 (B9h)
8.2.24 Release Power-down / Device ID (ABh)
8.2.25 读取制造商/设备ID (90h)
8.2.26 读取制造商/设备ID Dual I/O (92h)
8.2.27 读取制造商/设备ID Quad I/O (94h)
8.2.28 读唯一标识码 (4Bh)
8.2.29 读 JEDEC ID (9Fh)
8.2.30 读SFDP寄存器 (5Ah)
8.2.31 擦除安全寄存器 (44h)
8.2.32 写安全寄存器 (42h)
8.2.33 读安全寄存器 (48h)
8.2.34设置读取参数(C0h)
8.2.35 Burst Read with Wrap (0Ch)
8.2.36 进入QPI 模式 (38h)
8.2.37 推出QPI模式(FFh)
8.2.38 单独块/扇区锁定(36h)
8.2.39 单独的块/扇区锁定解除 (39h)
8.2.40 读块/扇区锁定 (3Dh)
8.2.41 全局块/扇区锁定(7Eh)
8.2.42全局块/扇区锁定解除(98h)
8.2.43 复位使能(66h)和复位设备(99h)
九、电气特性 8.2.16 四线模式页写 (32h)
四页编程指令允许使用四个引脚IO0IO1IO2和IO3在先前擦除FFh的存储单元中编程最多256个字节的数据。四页编程可以提高PROM编程器和时钟速度低于5MHz的应用的性能。具有更快时钟速度的系统对四页编程指令没有太大的好处因为固有的页面编程时间远远大于它所花费的时间输入数据。
要使用四页编程必须将状态寄存器-2中的四路使能QE位设置为1.必须先执行写使能指令然后器件才能接受四页编程指令状态寄存器-1WEL 1 。通过将/ CS引脚驱动为低电平然后将指令代码“32h”后跟24位地址A23-A0和至少一个数据字节移入IO引脚来启动该指令。/ CS引脚必须保持低电平当数据被发送到设备时指令的整个长度。四页程序的所有其他功能与标准页面程序相同。 QuadPage程序指令序列如图30所示。 8.2.17 扇区擦除 (20h)
扇区擦除指令将指定扇区4K字节内的所有存储器设置为全1FFh的擦除状态。在器件接受扇区擦除指令状态寄存器位WEL必须等于1之前必须执行写使能指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并将指令代码“20h”移至24位扇区地址A23-A0来启动该指令。扇区擦除指令序列如图31a和31b所示。
在锁存最后一个字节的第8位后/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做则不会执行扇区擦除指令。在/ CS被驱动为高电平后自定时扇区擦除指令将在tSE的持续时间内开始参见交流特性。扇区擦除周期正在进行时仍然可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。扇区擦除周期期间BUSY位为1当周期结束且器件准备再次接受其他指令时BUSY位变为0。扇区擦除周期结束后状态寄存器中的写使能锁存WEL位清零。如果寻址页受块保护CMPSECTBBP2保护则不会执行扇区擦除指令。 BP1和BP0位或单个块/扇区锁。 8.2.18 32KB 块擦除 (52h)
块擦除指令将指定块32K字节内的所有存储器设置为全1FFh的擦除状态。必须在器件接受块擦除指令状态寄存器位WEL必须等于1之前执行写使能指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并将指令代码“52h”移至24位块地址A23-A0来启动该指令。块擦除指令序列如图32a和32b所示。
在锁存最后一个字节的第8位后/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不是则不会执行块擦除指令。在/ CS被驱动为高电平之后自定时块擦除指令将开始持续tBE1的持续时间参见AC特性。当块擦除周期正在进行时仍然可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。块擦除周期期间BUSY位为1当周期结束且器件准备再次接受其他指令时BUSY位变为0。块擦除周期结束后状态寄存器中的写使能锁存WEL位清零。如果寻址页受块保护位或单独块/扇区锁保护则不会执行块擦除指令。 8.2.19 64KB 块擦除 (D8h)
块擦除指令将指定块64K字节内的所有存储器设置为全1FFh的擦除状态。必须在器件接受块擦除指令状态寄存器位WEL必须等于1之前执行写使能指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并将指令代码“D8h”移至24位块地址A23-A0来启动该指令。块擦除指令序列如图33a和33b所示。
在锁存最后一个字节的第8位后/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做则不会执行块擦除指令。在/ CS被驱动为高电平之后自定时块擦除指令将开始持续tBE的持续时间参见AC特性。当块擦除周期正在进行时仍然可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。块擦除周期期间BUSY位为1当周期结束且器件准备再次接受其他指令时BUSY位变为0。块擦除周期结束后状态寄存器中的写使能锁存WEL位被清除为0.如果寻址页受块保护(CMP, SEC, TB, BP2, BP1, and BP0)位或单独块/扇区锁保护则不会执行块擦除指令. 8.2.20 片擦除 (C7h / 60h)
芯片擦除指令将器件内的所有存储器设置为全1FFh的擦除状态。在器件接受芯片擦除指令状态寄存器位WEL必须等于1之前必须执行写使能指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“C7h”或“60h”来启动该指令。芯片擦除指令序列如图34所示。
在第8位被锁存后/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做芯片擦除指令将不会被执行。在/ CS被驱动为高电平之后自定时芯片擦除指令将开始tCE的持续时间参见AC特性。当芯片擦除周期正在进行时仍然可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。芯片擦除周期期间BUSY位为1完成后变为0器件准备再次接受其他指令。芯片擦除周期结束后状态寄存器中的写使能锁存WEL位清零。如果任何存储区域受块保护位或单个块/扇区锁保护则不会执行芯片擦除指令。 8.2.21 擦除/写挂起(75h)
擦除/编程挂起指令“75h”允许系统中断扇区或块擦除操作或页面编程操作然后从任何其他扇区或块读取或编程/擦除数据。擦除/编程挂起指令序列如图35a和35b所示。
擦除暂停期间不允许写入状态寄存器指令01h和擦除指令20h52hD8hC7h60h44h。擦除暂停仅在扇区或块擦除操作期间有效。如果在芯片擦除操作期间写入则忽略擦除暂停指令。程序暂停期间不允许写入状态寄存器指令01h31h11h和程序指令02h32h42h。程序暂停仅在页面编程或四页编程操作期间有效。
仅当扇区或块擦除或页面编程操作正在进行时状态寄存器中的SUS位等于0且BUSY位等于1时器件才会接受擦除/编程挂起指令“75h”。如果SUS位等于1或BUSY位等于0则器件将忽略挂起指令。暂停擦除或编程操作需要最多时间“tSUS”参见AC特性。状态寄存器中的BUSY位将在“tSUS”内从1清除为0并且在擦除/编程暂停后状态寄存器中的SUS位将立即从0设置为1。对于先前恢复的擦除/编程操作还要求在先前的恢复指令“7Ah”之后的“tSUS”的最小时间之前发出挂起指令“75h”。
擦除/编程挂起状态期间意外断电将重置设备并释放挂起状态。状态寄存器中的SUS位也将复位为0.暂停的页面扇区或块内的数据可能会损坏。建议用户实施系统设计技术以防止意外断电并在擦除/程序挂起状态期间保持数据完整性 8.2.22 擦除/写恢复 (7Ah)
必须写入擦除/编程恢复指令“7Ah”以便在擦除/编程挂起后恢复扇区或块擦除操作或页面编程操作。仅当状态寄存器中的SUS位等于1且BUSY位等于0时器件才接受恢复指令“7Ah”。发出后SUS位将立即从1清零BUSY位将在200ns内从0设置为1扇区或块将完成擦除操作或页面将完成程序操作。如果SUS位等于0或BUSY位等于1则器件将忽略恢复指令“7Ah”。擦除/编程恢复指令序列如图36a和36b所示。
如果先前的擦除/编程挂起操作被意外断电中断则忽略恢复指令。还要求在先前的恢复指令之后的“tSUS”的最小时间内不发布随后的擦除/编程暂停指令。 8.2.23 待机 (B9h)
虽然正常工作期间的待机电流相对较低但通过掉电指令可以进一步降低待机电流。较低的功耗使掉电指令对电池供电的应用特别有用参见AC特性中的ICC1和ICC2。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“B9h”来启动该指令如图37a和37b所示。
在第8位被锁存后/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做则不会执行Powerdown指令。在/ CS被驱动为高电平之后掉电状态将在tDP的持续时间内进入参见AC特性。在断电状态下只能识别将设备恢复正常运行的释放掉电/设备IDABh指令。所有其他指令都被忽略。这包括读状态寄存器指令该指令在正常操作期间始终可用。忽略除一条指令之外的所有指令使断电状态成为确保最大写保护的有用条件。器件始终在正常工作时使用ICC1的待机电流上电。 8.2.24 Release Power-down / Device ID (ABh)
从掉电/器件ID释放指令是一种多用途指令。它可用于将设备从断电状态释放或获取设备电子标识ID号。
要将器件从掉电状态释放通过将/ CS引脚驱动为低电平将指令代码“ABh”和驱动/ CS置为高电平来发出指令如图38a和38b所示。断电后释放将占用tRES1的持续时间参见交流特性然后设备将恢复正常操作并接受其他指令。 / CS引脚必须在tRES1持续时间内保持高电平。
当仅用于在不处于掉电状态时获取器件ID时通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“ABh”然后移位3个虚拟字节来启动指令。然后器件ID位在CLK的下降沿移出最高有效位MSB优先。 W25Q128FV的设备ID值列在“制造商和设备识别”表中。可以连续读取设备ID。通过驱动/ CS高电平完成指令。
当用于将器件从断电状态释放并获得器件ID时该指令与前面描述的相同如图38c和38d所示除了在/ CS被驱动为高电平之后它必须保持高电平一段时间持续时间tRES2见交流特性。在此持续时间之后设备将恢复正常操作并且将接受其他指令。如果在擦除编程或写周期正在进行时发出掉电/器件ID释放指令当BUSY等于1时指令将被忽略并且不会对当前周期产生任何影响。 8.2.25 读取制造商/设备ID (90h)
读取制造商/设备ID指令是从掉电/设备ID释放指令的替代方案该指令提供JEDEC指定的制造商ID和特定的设备ID。
读取制造商/设备ID指令非常类似于从掉电/器件ID释放指令。 通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“90h”然后移位24位地址A23-A0为000000h来启动该指令。 之后Winbond的制造商IDEFh和器件ID在CLK的下降沿移出最高有效位MSB优先如图39所示.W25Q128FV的器件ID值列在制造商和 设备识别表。 通过驱动/ CS高电平完成指令。 8.2.26 读取制造商/设备ID Dual I/O (92h)
读取制造商/设备ID双I / O指令是读取制造商/设备ID指令的替代指令它以2倍速度提供JEDEC指定的制造商ID和特定设备ID。
读取制造商/器件ID双I / O指令类似于快速读取双I / O指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“92h”后跟24位地址 A23-A0为000000h但能够在每个时钟输入两位地址位。之后在CLK的下降沿Winbond的制造商IDEFh和器件ID每时钟移出2位。 最高有效位MSB首先如图40所示.W25Q128FV的器件ID值列在制造商和器件识别表中。 制造商和设备ID可以连续读取从一个到另一个交替读取。 通过驱动/ CS高电平完成指令。 注意“连续读取模式”位M7-0必须设置为Fxh才能与快速读取双I / O指令兼容。
8.2.27 读取制造商/设备ID Quad I/O (94h)
读取制造商/设备ID四I / O指令是读取制造商/设备ID指令的替代指令该指令以4倍速度提供JEDEC指定的制造商ID和特定设备ID。
读取制造商/设备ID四I / O指令类似于快速读取四I / O指令。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“94h”然后移位4个时钟虚拟周期然后移位24位地址A23-A0为000000h来启动该指令但能够输入地址位每个时钟四位。之后Winbond的制造商IDEFh和器件ID在CLK的下降沿每个时钟移出4位最高有效位MSB首先如图41所示.W25Q128FV的器件ID值为列在制造商和设备识别表中。制造商和设备ID可以连续读取从一个到另一个交替读取。通过驱动/ CS高电平完成指令。制造商和设备ID可以连续读取从一个到另一个交替读取。通过驱动/ CS高电平完成指令。 注意“连续读取模式”位M7-0必须设置为Fxh才能与快速读取四I / O指令兼容
8.2.28 读唯一标识码 (4Bh)
Read Unique ID Number指令访问出厂设置的只读64位数字该数字对于每个W25Q128FV器件是唯一的。 ID号可与用户软件方法结合使用以帮助防止复制或克隆系统。 通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“4Bh”然后移位四个字节的虚拟时钟来启动读取唯一ID指令。 之后64位ID在CLK的下降沿移出如图42所示。 8.2.29 读 JEDEC ID (9Fh)
出于兼容性原因W25Q128FV提供了若干指令以电子方式确定设备的身份。 Read JEDEC ID指令与2003年采用的SPI兼容串行存储器的JEDEC标准兼容。通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“9Fh”来启动该指令。 JEDEC为WinbondEFh分配制造商ID字节然后在CLK的下降沿移出两个器件ID字节存储器类型ID15-ID8和容量ID7-ID0最高有效位MSB优先为 如图43a和43b所示。 有关内存类型和容量值请参阅“制造商和设备识别”表。 8.2.30 读SFDP寄存器 (5Ah)
W25Q128BV具有256字节串行闪存可发现参数SFDP寄存器其中包含有关器件配置可用指令和其他功能的信息。 SFDP参数存储在一个或多个参数标识PID表中。目前只指定了一个PID表但将来可能会添加更多的PID表。 Read SFDP Register指令与最初于2010年为PC和其他应用程序建立的SFDP标准以及2011年发布的JEDEC标准JESD216兼容。大多数Winbond SpiFlash Memories在2011年6月之后发布日期代码1124及更高版本支持适用数据表中指定的SFDP功能。
通过将/ CS引脚驱动为低电平并将指令代码“5Ah”后跟24位地址A23-A01移入DI引脚来启动读SFDP指令。在SFDP寄存器内容在第40个CLK的下降沿移出之前还需要8个“伪”时钟其中最高有效位MSB优先如图34所示。对于SFDP寄存器值和描述请参考Winbond SFDP定义表的应用说明。
注1A23-A8 0; A7-A0用于定义256字节SFDP寄存器的起始字节地址 8.2.31 擦除安全寄存器 (44h)
W25Q128FV提供三个256字节的安全寄存器可以单独擦除和编程。 系统制造商可以使用这些寄存器来与主存储器阵列分开存储安全性和其他重要信息。
擦除安全寄存器指令类似于扇区擦除指令。 在器件接受擦除安全寄存器指令状态寄存器位WEL必须等于1之前必须执行写使能指令。 通过将/ CS引脚驱动为低电平并移位指令代码“44h”然后移位24位地址A23-A0以擦除三个安全寄存器中的一个来启动该指令。 擦除安全寄存器的指令序列如图45所示。在最后一个字节的第8位被锁存后/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果不这样做则不会执行指令。在/ CS被驱动为高电平后自定时擦除安全寄存器操作将开始持续tSE的持续时间参见交流特性。擦除安全寄存器周期正在进行时仍可以访问读状态寄存器指令以检查BUSY位的状态。擦除周期期间BUSY位为1当周期结束且器件准备再次接受其他指令时BUSY位变为0。擦除安全寄存器周期结束后状态寄存器中的写使能锁存WEL位清零。状态寄存器-2中的安全寄存器锁定位LB3-1可用于OTP保护安全寄存器。一旦锁定位设置为1相应的安全寄存器将被永久锁定该寄存器的擦除安全寄存器指令将被忽略有关详细说明请参阅第7.1.8节。 8.2.32 写安全寄存器 (42h)
写安全寄存器指令类似于页面编程指令。 它允许从一个字节到256个字节的安全寄存器数据在先前擦除FFh的存储器位置进行编程。 必须在器件接受程序安全寄存器指令状态寄存器位WEL 1之前执行写使能指令。 通过将/ CS引脚驱动为低电平然后将指令代码“42h”后跟24位地址A23-A0和至少一个数据字节移入DI引脚来启动该指令。 在将数据发送到器件时/ CS引脚必须在指令的整个长度内保持低电平。 程序安全寄存器指令序列如图46所示。状态寄存器-2中的安全寄存器锁定位LB3-1可用于OTP保护安全寄存器。 一旦锁定位设置为1相应的安全寄存器将被永久锁定该寄存器的程序安全寄存器指令将被忽略详见7.1.8,8.2.25。 8.2.33 读安全寄存器 (48h)
读安全寄存器指令类似于快速读指令允许从四个安全寄存器之一顺序读取一个或多个数据字节。通过将/ CS引脚驱动为低电平然后将指令代码“48h”后跟24位地址A23- A0和8个“虚拟”时钟移入DI引脚来启动该指令。代码和地址位在CLK引脚的上升沿锁存。接收到地址后寻址存储单元的数据字节将在CLK的下降沿从DO引脚移出最高有效位MSB优先。在每个数据字节移出后字节地址自动递增到下一个字节地址。一旦字节地址到达寄存器的最后一个字节字节地址FFh它将复位到地址00h即寄存器的第一个字节并继续递增。通过驱动/ CS高电平完成指令。读安全寄存器指令序列如图47所示。如果在擦除编程或写周期正在进行时发出读安全寄存器指令BUSY 1则忽略该指令不会对当前周期产生任何影响。读安全寄存器指令允许从D.C.到FR的最大时钟速率参见交流电气特性 8.2.34设置读取参数(C0h)
在QPI模式下为了适应对最大读取频率或最小数据访问延迟的不同需求的各种应用“设置读取参数C0h”指令可用于配置“快速读取0Bh的虚拟时钟数” “”快速读取四I / OEBh“和”使用包络突发读取0Ch“指令并配置”包络突发读取0Ch“指令的”包长“字节数。
在标准SPI模式下不接受“设置读取参数C0h”指令。标准/双/四SPI模式下各种快速读取指令的伪时钟是固定的详细信息请参考指令表1-2。 “Wrap Length”由“Set Burst with Wrap77h”指令中的W5-4位设置。当器件从标准SPI模式切换到QPI模式时此设置将保持不变。
上电或复位指令后的默认“Wrap Length”为8个字节默认时钟数为2.虚拟时钟的数量仅可编程为“Fast Read0Bh”“Fast Read Quad I /在QPI模式下OEBh“”Burst Read with Wrap0Ch“指令。每当器件从SPI模式切换到QPI模式时应在任何0BhEBh或0Ch指令之前再次设置虚拟时钟的数量。 8.2.35 Burst Read with Wrap (0Ch)
“Burst Read with Wrap0Ch”指令提供了一种在QPI模式下使用“Wrap Around”执行读取操作的替代方法。 该指令类似于QPI模式中的“快速读取0Bh”指令除了一旦到达结束边界读取操作的寻址将“环绕”到“包裹长度”的开始边界。
可以通过“设置读取参数C0h”指令配置“自动换行长度”和虚拟时钟数。 8.2.36 进入QPI 模式 (38h)
W25Q128FV支持标准/双/四串行外设接口SPI和四路外设接口QPI。但是SPI模式和QPI模式不能同时使用。 “输入QPI38h”指令是将器件从SPI模式切换到QPI模式的唯一方法。
上电时器件的默认状态为标准/双/四SPI模式。这提供了与前几代Winbond串行闪存的完全向后兼容性。有关所有支持的SPI命令请参见指令集表1-3。为了将器件切换到QPI模式必须首先将状态寄存器-2中的四路使能QE位设置为1并且必须发出“输入QPI38h”指令。如果四线使能QE位为0则将忽略“输入QPI38h”指令器件将保持SPI模式。
有关QPI模式支持的所有命令请参阅指令集表3。当器件从SPI模式切换到QPI模式时现有的写使能和编程/擦除暂停状态以及绕组长度设置将保持不变。 8.2.37 推出QPI模式(FFh)
为了退出QPI模式并返回标准/双/四SPI模式必须发出“退出QPIFFh”指令。
当器件从QPI模式切换到SPI模式时现有的写使能锁存WEL和编程/擦除暂停状态以及绕组长度设置将保持不变。 8.2.38 单独块/扇区锁定(36h)
单独的块/扇区锁定提供了一种保护存储器阵列免受不良擦除/编程的替代方法。 为了使用单独的块/扇区锁状态寄存器-3中的WPS位必须设置为1.如果WPS 0写保护将由CMPSECTBBP的组合确定[2 状态寄存器中的0]位。 各个块/扇区锁定位是易失性位。 器件上电或复位后的默认值为1因此整个存储器阵列受到保护。
要锁定特定的块或扇区如图4d所示必须通过驱动/ CS低电平发出单独的块/扇区锁定命令在CLK的上升沿将指令代码“36h”移入数据输入DI引脚 然后是24位地址然后驱动/ CS高。 必须先执行写使能指令然后器件才能接受单独的块/扇区锁定指令状态寄存器位WEL 1 8.2.39 单独的块/扇区锁定解除 (39h)
单独的块/扇区锁定提供了一种保护存储器阵列免受不良擦除/编程的替代方法。 为了使用单独的块/扇区锁状态寄存器-3中的WPS位必须设置为1.如果WPS 0写保护将由CMPSECTBBP的组合确定[2 状态寄存器中的0]位。 各个块/扇区锁定位是易失性位。 器件上电或复位后的默认值为1因此整个存储器阵列受到保护。
要解锁特定的块或扇区如图4d所示必须通过驱动/ CS低电平发出单独的块/扇区解锁命令在CLK的上升沿将指令代码“39h”移入数据输入DI引脚 然后是24位地址然后驱动/ CS高。 必须在器件接受单独的块/扇区解锁指令状态寄存器位WEL 1之前执行写使能指令。 8.2.40 读块/扇区锁定 (3Dh)
单独的块/扇区锁定提供了一种保护存储器阵列免受不良擦除/编程的替代方法。为了使用单独的块/扇区锁状态寄存器-3中的WPS位必须设置为1.如果WPS 0写保护将由CMPSECTBBP的组合确定[2状态寄存器中的0]位。各个块/扇区锁定位是易失性位。器件上电或复位后的默认值为1因此整个存储器阵列受到保护。
要读出特定块或扇区的锁定位值如图4d所示必须通过驱动/ CS低电平发出读取块/扇区锁定命令将指令代码“3Dh”移入数据输入DI引脚在CLK的上升沿接着是24位地址。块/扇区锁定位值将在CLK的下降沿从DO引脚移出最高有效位MSB优先如图54所示。如果最低有效位LSB为1则相应的块/部门被锁定;如果LSB 0则相应的块/扇区被解锁可以执行擦除/编程操作。 8.2.41 全局块/扇区锁定(7Eh)
通过全局块/扇区锁定指令可以将所有块/扇区锁定位设置为1。 该命令必须通过驱动/ CS为低电平来发出在CLK的上升沿将指令代码“7Eh”移入数据输入DI引脚然后驱动/ CS为高电平。 必须在器件接受全局块/扇区锁定指令状态寄存器位WEL 1之前执行写使能指令。 8.2.42全局块/扇区锁定解除(98h)
通过全局块/扇区解锁指令可以将所有块/扇区锁定位设置为0。 必须通过驱动/ CS低电平发出命令在CLK的上升沿将指令代码“98h”移入数据输入DI引脚然后驱动/ CS为高电平。 必须在器件接受全局块/扇区解锁指令状态寄存器位WEL 1之前执行写使能指令。 8.2.43 复位使能(66h)和复位设备(99h)
由于封装尺寸小且引脚数量有限W25Q128FV提供软件复位指令而不是专用的RESET引脚。一旦接受复位指令任何正在进行的内部操作将被终止器件将返回其默认的上电状态并丢失所有当前的易失性设置例如易失性状态寄存器位写入使能锁存WEL状态编程/擦除暂停状态读取参数设置P7-P0连续读取模式位设置M7-M0和Wrap位设置W6-W4。
“使能复位66h”和“复位99h”指令可以在SPI模式或QPI模式下发出。为避免意外复位必须按顺序发出两条指令。 “Enable Reset66h”命令后的“Reset99h”以外的任何其他命令将禁用“Reset Enable”状态。需要一个新的序列“启用复位66h”和“复位99h”来复位器件。一旦器件接受了复位命令器件将需要大约tRST 30us才能复位。在此期间不接受任何命令。
如果设备接受复位命令序列时如果正在进行或暂停内部擦除或编程操作则可能会发生数据损坏。在发出复位命令序列之前建议检查状态寄存器中的BUSY位和SUS位。 九、时序特性
