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ASE12N65SE在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻RDS(ON)为0.68Ω是一款N沟道高压MOS管。ASE12N65SE的最大脉冲正向电流ISM为48A零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE12N65SE功耗PD为140W。ASE12N65SE的电性参数是二极管正向电压(VSD)为1.4V漏极-源极击穿电压为650V二极管正向电压(VSD)为1.4V其中有3条引线。 ASE12N65SE参数描述
型号ASE12N65SE
封装ITO-220AB
特性N沟道高压MOS管
电性参数12A 650V
正向电流(Io)12A
静态漏极源导通电阻RDS(ON)0.68Ω
功耗PD140W
二极管正向电压(VSD)1.4V
最大脉冲正向电流ISM48A
零栅极电压漏极电流(IDSS)10uA
工作温度-55~150℃
引线数量3 ASE12N65SE是TO-220封装系列。它的本体长度为16.2mm加引脚长度为30.47mm宽度为10.28mm高度为4.7mm脚间距为2.54mm。 以上就是关于ASE12N65SE-ASEMI高压MOS管ASE12N65SE的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
