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16N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻RDS(ON)为0.2Ω是一款N沟道高压MOS管。16N60的最大脉冲正向电流ISM为48A零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N60功耗PD为134.4W。16N60的电性参数是正向电流(Io)为16A漏极-源极击穿电压为600V二极管正向电压(VSD)为1.2V其中有3条引线。 16N60参数描述
型号16N60
封装TO-220
特性N沟道高压MOS管
电性参数16A 600V
正向电流(Io)16A
静态漏极源导通电阻RDS(ON)0.2Ω
功耗PD134.4W
二极管正向电压(VSD)1.2V
最大脉冲正向电流ISM48A
零栅极电压漏极电流(IDSS)10uA
工作温度-55~150℃
引线数量3 16N60是TO-220封装系列。它的本体长度为15.87mm加引脚长度为28.57mm宽度为10.66mm高度为5.0mm脚间距为2.54mm。 以上就是关于16N60-ASEMI高压MOS管16N60的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
