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HTR-4立式4寸快速退火炉 HTR-4立式4寸快速退火炉芯片热处理设备广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能技术指标高、工艺复杂、专用性强。
主要应用领域
1.快速热处理(RTP)快速退火(RTA)快速热氧化(RTO)快速热氮化(RTN)
2.离子注入/接触退火
3.金属合金
4.热氧化处理
5.化合物合金砷化镓、氮化物等
6.多晶硅退火
7.太阳能电池片退火
8.高温退火
9.高温扩散。
产品特点
可测大尺寸样品可测单晶片样品的尺寸为4英寸。压力控制系统创新设计高精度控制压力以满足不同的工艺要求。存储热处理工艺方便工艺参数调取提高实验效率数据可查询。快速控温与高真空升温速率可达150℃/s真空度可达到10-5Pa。程序设定与气路扩展可实现不同温度段的控制进行降温段的自动转接并能够对工艺菜单进行保存方便调用。采用MFC控制气体流量实现不同气氛环境真空、氮气等下的热处理。独特的腔体空间设计保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1%。全自动智能控制采用全自动智能控制包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。超高安全系数采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施全方位保障设备使用安全。主要技术参数 样品尺寸 4英寸直径100mm 控温范围 RT~1200℃ 升温速率max 150℃/s 高温段降温速率max 1200℃/min 控温精度 ±0.5℃ 温场均匀性 ≤1% 气体流量 标配1路MFC控制氮气可扩展至4路 压力控制 ~1bar±100Pa 工艺条件 支持真空、氧化、还原、惰性气体等工艺气氛一键设置通过软件控制真空及通气时间
