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看完本章串起来看看mos驱动电路这篇MOS管驱动电流计算以及分立器件驱动电路-CSDN博客
使用单片机做一个PLC,输出可如下两种情况 单片机I/O口驱动为什么一般都选用三极管而不是MOS管
1.单片机的IO口有一定的带负载能力。但电流很小驱动能力有限一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。
2.至于单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管?需要了解三极管和MOS管的区别如下
①三极管是电流控制型三极管基极驱动电压只要高于Ube(一般是0.7V)就能导通。
②MOS管是电压控制型驱动电压必须高Vgs(TH)才能正常导通不同MOS管的阈值电压是不一样的一般为3-5V左右饱和驱动电压可在6-8V。
我们再来看实际应用
单片机一般讲究低功耗电压也越来越低一般单片机供电为3.3V所以它的I/O最高电压也就是3.3V。
①直接驱动三极管
3.3V电压肯定是大于Ube的所以直接在基极串联一个合适的电阻让三极管工作在饱和区
就可以了。Ib(VO-0.7V)/R2。 驱动三极管示意图 ②驱动MOS管
通过前面也了解到MOS管的饱和压降3.3V或接近如果用3.3V来驱动的话很可能MOS管根本就打不开或者处于半导通状态。
在半导通状态下管子的内阻很大驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就不行了内阻大管子的功耗大MOS管很容易就烧坏了。
所以一般选择I/O口直接控制三极管然后再控制MOS管。 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管 当I/O为高电平时三极管导通MOS管栅极被拉低负载RL不工作。
当I/O为低电平时三极管不导通MOS管通过电阻R3R4分压为栅极提供合适的阈值电压MOS管导通负载RL正常工作。
为什么要这样操作呢?一定要用三极管来驱动MOS管吗?
那是因为三极管带负载的能力没有MOS管强当负载电流有要求时必须要用MOS管来驱动。
那可以用I/O口直接驱动MOS管吗?答案是可以的但这种型号不好找这里给大家推荐一个NMOS型号DMN6140L-13还有一些自行搜索)。 DMN6140L-13阈值电压 这个管子的阈值电压是1V3.3V的时候可以完全导通导通时的最大电流大约2.3A的样子。 DMN6140L-13导通电流 我们再来看看常用的NPN三极管LMBT2222ALT1G的带载能力最大电流IC600mA。 LMBT2222ALT1G导通电流 可见MOS管的驱动能力是三极管4倍所以对负载电流有要求的都使用MOS管。
1三极管是电流驱动而MOS管是电压驱动三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通硅材料三极管的死区电压一般为0.6V锗材料三极管的死区电压一般为0.3V所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可而对于锗材料的三极管来说只要高于0.3V左右即可。而MOS管就不一样了MOS管是电压型驱动其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的一般为3V到5V左右最小的也要2.5V但这也只是刚刚导通其电流很小还处于放大区的起始阶段一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。
2了解三极管和MOS管在控制上的区别之后那么单片机I/O口怎么控制三极管和MOS管呢单片机一般采用5V或3.3V供电其I/O口高电平为5V或3.3V处理器一般讲究低功耗如今使用3.3V供电的单片机较多所以其I/O口高电平也只有3.3V。
3三极管为电流驱动较低的电压就可以驱动三极管而MOS管为电压驱动驱动电压较高单片机I/O口的电压不足以驱动MOS管所以经常使用三极管作为缓冲改变电压当然除了使用三极管之外还可以使用光耦等。
